창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSR10F30QNXT5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSR10F30QNXT5G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 470mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-XDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DSN(1.4x0.6) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSR10F30QNXT5G | |
관련 링크 | NSR10F30, NSR10F30QNXT5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GL045F35CET | 4.5MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL045F35CET.pdf | |
![]() | MMF-25FRF10R | RES SMD 10 OHM 1% 1/4W MELF | MMF-25FRF10R.pdf | |
![]() | DSD17-11A | DSD17-11A IXYS DO-4 | DSD17-11A.pdf | |
![]() | TP3057BG | TP3057BG TI SOP | TP3057BG.pdf | |
![]() | TIC-22G | TIC-22G UBON SMD or Through Hole | TIC-22G.pdf | |
![]() | ADS4149IRGZ25G4 | ADS4149IRGZ25G4 TI ADS4149IRGZ25 | ADS4149IRGZ25G4.pdf | |
![]() | TMX320C30GBH | TMX320C30GBH TI CPGA181 | TMX320C30GBH.pdf | |
![]() | SRF860G | SRF860G ORIGINAL TO-220 | SRF860G.pdf | |
![]() | K9L8G08U0A | K9L8G08U0A Samsung NA | K9L8G08U0A.pdf | |
![]() | SN94313N | SN94313N TI DIP-14 | SN94313N.pdf | |
![]() | CS526S | CS526S N/A DIP-8 | CS526S.pdf | |
![]() | ERJ2RKF6491X | ERJ2RKF6491X PAN SMD or Through Hole | ERJ2RKF6491X.pdf |