창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSR10F30NXT5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSR10F30NXT5G | |
PCN 조립/원산지 | DSN2 Family 08/May/2013 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 05/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 470mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DSN(1.4x0.6) | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | NSR10F30NXT5G-ND NSR10F30NXT5GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSR10F30NXT5G | |
관련 링크 | NSR10F3, NSR10F30NXT5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP385518085JPI4T0 | 1.8µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.634" L x 0.709" W (41.50mm x 18.00mm) | MKP385518085JPI4T0.pdf | |
![]() | SD53-100-R | 10µH Shielded Wirewound Inductor 1.41A 90 mOhm Max Nonstandard | SD53-100-R.pdf | |
![]() | IC42S16160C-6TL. | IC42S16160C-6TL. ISSI TSOP | IC42S16160C-6TL..pdf | |
![]() | PG24EXUS6 | PG24EXUS6 KEC US6 | PG24EXUS6.pdf | |
![]() | TQS-X01/2*1.5/4P | TQS-X01/2*1.5/4P TOYOCOM SMD or Through Hole | TQS-X01/2*1.5/4P.pdf | |
![]() | 2N5153 | 2N5153 MICROSEMI SMD | 2N5153.pdf | |
![]() | S1T8507B | S1T8507B SAMSUNG SMD | S1T8507B.pdf | |
![]() | AP8801-27GX | AP8801-27GX AnSC SOT-89 | AP8801-27GX.pdf | |
![]() | C4SMF-GJS-V3-G9 | C4SMF-GJS-V3-G9 CREELTD SMD or Through Hole | C4SMF-GJS-V3-G9.pdf | |
![]() | MAX8714ETJ | MAX8714ETJ MAXIM QFN | MAX8714ETJ.pdf | |
![]() | S331T-RO | S331T-RO NKK SMD or Through Hole | S331T-RO.pdf |