홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NSM80100MT1G

ON Semiconductor NSM80100MT1G

NSM80100MT1G
제조업체 부품 번호
NSM80100MT1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 80V 0.5A SC-74-6
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSM80100MT1G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 134.05400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSM80100MT1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSM80100MT1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSM80100MT1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSM80100MT1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSM80100MT1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSM80100MT1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSM80100MT1G
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)80V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 10mA, 1V
전력 - 최대270mW
주파수 - 트랜지션150MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74, SOT-457
공급 장치 패키지SC-74
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSM80100MT1G
관련 링크NSM8010, NSM80100MT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSM80100MT1G 의 관련 제품
10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GRM1555C1H100RA01J.pdf
2 Line Common Mode Choke Through Hole 4A DCR 100 mOhm TF3524B-702Y4R0-01.pdf
RES SMD 249K OHM 1% 1/20W 0201 CRG0201F249K.pdf
HW-101A E 4T Asahi SOT143 HW-101A E 4T.pdf
SMCJ15CAE357T vishay SMD or Through Hole SMCJ15CAE357T.pdf
ATRCS1158ROT HDK SMD or Through Hole ATRCS1158ROT.pdf
S-80723SC ORIGINAL SMD or Through Hole S-80723SC.pdf
MAX4173TESA+ MAXIM SMD or Through Hole MAX4173TESA+.pdf
UTC7524 UTC DIP8 UTC7524.pdf
HT1005-1B5N6NJMT ORIGINAL SMD or Through Hole HT1005-1B5N6NJMT.pdf
HZS18-1 ORIGINAL DO-34 HZS18-1.pdf