창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSBC124EF3T5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN(2,5)212, MMUN2212L, DTC1234Exx, NSBC124EF3 | |
PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 254mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1123 | |
공급 장치 패키지 | SOT-1123 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | NSBC124EF3T5G-ND NSBC124EF3T5GTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSBC124EF3T5G | |
관련 링크 | NSBC124, NSBC124EF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
1206AA100JAJ1A | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206AA100JAJ1A.pdf | ||
VJ0805D1R5BXCAJ | 1.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R5BXCAJ.pdf | ||
ABM7-25.000MHZ-B4-T | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-25.000MHZ-B4-T.pdf | ||
MPSA05-AP | TRANS NPN 60V 0.625A TO-92 | MPSA05-AP.pdf | ||
ERJ-1TRQFR75U | RES SMD 0.75 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TRQFR75U.pdf | ||
H4887RBDA | RES 887 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4887RBDA.pdf | ||
Y0007152R000F0L | RES 152 OHM 0.6W 1% RADIAL | Y0007152R000F0L.pdf | ||
JSF-25S4AE1 | JSF-25S4AE1 JDSU DIP12 | JSF-25S4AE1.pdf | ||
SMD10K 3*3 | SMD10K 3*3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD10K 3*3.pdf | ||
GEFORCE 6800 U | GEFORCE 6800 U NVIDIA BGA | GEFORCE 6800 U.pdf | ||
HD643180X0CP6 | HD643180X0CP6 HIT SMD or Through Hole | HD643180X0CP6.pdf | ||
ICL7642BMWE | ICL7642BMWE MAXIM SOP16 | ICL7642BMWE.pdf |