창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSBC123EF3T5G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN(2,5)231, MMUN2231L, DC123Exx | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 2.2k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 254mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-1123 | |
공급 장치 패키지 | SOT-1123 | |
표준 포장 | 8,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSBC123EF3T5G | |
관련 링크 | NSBC123, NSBC123EF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIA456DJ-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 | SIA456DJ-T1-GE3.pdf | |
![]() | Y08503R30000E9W | RES SMD 3.3 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08503R30000E9W.pdf | |
![]() | GV3400 | GV3400 Gem-micro SMD or Through Hole | GV3400.pdf | |
![]() | L9929 | L9929 ST SSOP24 | L9929 .pdf | |
![]() | SLF12575T1R2N8R2 | SLF12575T1R2N8R2 tdk SMD or Through Hole | SLF12575T1R2N8R2.pdf | |
![]() | SG9ED52U2GG9 | SG9ED52U2GG9 SMART NA | SG9ED52U2GG9.pdf | |
![]() | UK120621 | UK120621 ICS SOP56 | UK120621.pdf | |
![]() | BD82IBXM QLLT ES | BD82IBXM QLLT ES INTEL BGA | BD82IBXM QLLT ES.pdf | |
![]() | OV7749 | OV7749 OV CLCC | OV7749.pdf |