홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » NSBC115TPDP6T5G

ON Semiconductor NSBC115TPDP6T5G

NSBC115TPDP6T5G
제조업체 부품 번호
NSBC115TPDP6T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBC115TPDP6T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBC115TPDP6T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBC115TPDP6T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBC115TPDP6T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBC115TPDP6T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBC115TPDP6T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBC115TPDP6T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSBC114TPDP6
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)100k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대339mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-963
공급 장치 패키지SOT-963
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBC115TPDP6T5G
관련 링크NSBC115TP, NSBC115TPDP6T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBC115TPDP6T5G 의 관련 제품
RES SMD 360K OHM 0.25% 1/4W 1206 RT1206CRB07360KL.pdf
POS SENSOR ROTARY 12-BIT 16-MLF AS5262-HMFM.pdf
DG406BP25 DYNEX SMD or Through Hole DG406BP25.pdf
CX2520SB19200D0FLJZZ KYOCER SMD CX2520SB19200D0FLJZZ.pdf
CM21W5R474K16T KYOCERA SMD or Through Hole CM21W5R474K16T.pdf
TMS3636D TI SOP8 TMS3636D.pdf
WD1E157M0811MBB280 SAMWHA SMD or Through Hole WD1E157M0811MBB280.pdf
ECKAVS331KB PANASONIC DIP ECKAVS331KB.pdf
JM84317-KM02-7F FOXCONN SMD or Through Hole JM84317-KM02-7F.pdf
AT76510 ATMEL QFP AT76510.pdf
A3VA10DA0599 SHARP SMD or Through Hole A3VA10DA0599.pdf