홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSBC113EF3T5G

ON Semiconductor NSBC113EF3T5G

NSBC113EF3T5G
제조업체 부품 번호
NSBC113EF3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS DUAL NPN
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBC113EF3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBC113EF3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBC113EF3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBC113EF3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBC113EF3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBC113EF3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBC113EF3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUNx230, MMUN2230L, DTC113Ex, NSBC113EF3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)1k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)1k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce3 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 5mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대254mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1123
공급 장치 패키지SOT-1123
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBC113EF3T5G
관련 링크NSBC113, NSBC113EF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBC113EF3T5G 의 관련 제품
150pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM033R71H151MA12J.pdf
TVS DIODE 10.2VWM 16.7VC SMB SM6T12CA-E3/5B.pdf
RES SMD 1K OHM 1% 1/4W 1206 MCR18EZPF1001.pdf
RES ARRAY 2 RES 36K OHM 0606 CRA06P04336K0JTA.pdf
RF Balun 50MHz ~ 1.2GHz 75 / 75 Ohm 0805 (2012 Metric) ATB2012-75011-TL000.pdf
267M 3502 224J ORIGINAL 35V0.22 267M 3502 224J.pdf
XC3195A PC84 5C ORIGINAL PLCC-84L XC3195A PC84 5C.pdf
FZ300R12KF21JD MAXIM QFN FZ300R12KF21JD.pdf
HW-101A D ASAHI-KASWI/ SOT-143 SOT-23-4 HW-101A D.pdf
20N06-90 ORIGINAL SMD or Through Hole 20N06-90.pdf
CD4160 ORIGINAL DIP CD4160.pdf