창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSBA144WDP6T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5137DW1, NSBA144WDxx | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 408mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-963 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-963 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSBA144WDP6T5G | |
| 관련 링크 | NSBA144W, NSBA144WDP6T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CAT9555Y | CAT9555Y CSI TSSOP | CAT9555Y.pdf | |
![]() | NANDA9R4N6BZBA5EIF | NANDA9R4N6BZBA5EIF Numonyx TFBGA | NANDA9R4N6BZBA5EIF.pdf | |
![]() | TCLM28V1 | TCLM28V1 TCL DIP-42 | TCLM28V1.pdf | |
![]() | LAG668TF | LAG668TF ORIGINAL SMD | LAG668TF.pdf | |
![]() | 56F | 56F YUANDEAN SOPDIP | 56F.pdf | |
![]() | CL10F473ZBNC | CL10F473ZBNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10F473ZBNC.pdf | |
![]() | WH1601A-YYH-CTK | WH1601A-YYH-CTK WINSTAR SMD or Through Hole | WH1601A-YYH-CTK.pdf | |
![]() | DC2-64R | DC2-64R MAP SMD or Through Hole | DC2-64R.pdf | |
![]() | STH4160-6 | STH4160-6 N/A N A | STH4160-6.pdf | |
![]() | grm43r2c2a562jd01l | grm43r2c2a562jd01l ORIGINAL SMD or Through Hole | grm43r2c2a562jd01l.pdf | |
![]() | AXK730247G | AXK730247G panasonnic SMDDIP | AXK730247G.pdf | |
![]() | UDZS33B 33V | UDZS33B 33V ROHM SOD323 | UDZS33B 33V.pdf |