창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NSBA143ZF3T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx133, MMUN2133L, DTA143Zxx, NSBA143ZF3 | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond 01/Dec/2010 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 254mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-1123 | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NSBA143ZF3T5G | |
| 관련 링크 | NSBA143, NSBA143ZF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG6058AE3/TR13 | TVS DIODE 53VWM 85VC DO215AB | SMCG6058AE3/TR13.pdf | |
![]() | SIT3809AI-G-33EG | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | SIT3809AI-G-33EG.pdf | |
![]() | 40J150 | RES 150 OHM 10W 5% AXIAL | 40J150.pdf | |
![]() | AT24C02B-1OPU-1.8 | AT24C02B-1OPU-1.8 ATMEL DIP8 | AT24C02B-1OPU-1.8.pdf | |
![]() | MS8612 | MS8612 MnovR SMD or Through Hole | MS8612.pdf | |
![]() | SG2002-2.85XN5/TR TEL:82766440 | SG2002-2.85XN5/TR TEL:82766440 SGM SMD or Through Hole | SG2002-2.85XN5/TR TEL:82766440.pdf | |
![]() | 2N920 | 2N920 MOT CAN | 2N920.pdf | |
![]() | ESRG6R3ETD101ME07D | ESRG6R3ETD101ME07D Chemi-con NA | ESRG6R3ETD101ME07D.pdf | |
![]() | 20CTQ150PBF(BULK) | 20CTQ150PBF(BULK) IR SMD or Through Hole | 20CTQ150PBF(BULK).pdf | |
![]() | UPM1H821MHD6YQ | UPM1H821MHD6YQ Nichicon SMD or Through Hole | UPM1H821MHD6YQ.pdf | |
![]() | NTH03HC-3.6864-SRX | NTH03HC-3.6864-SRX SARONIX SMD or Through Hole | NTH03HC-3.6864-SRX.pdf |