홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » NSBA123JDXV6T5G

ON Semiconductor NSBA123JDXV6T5G

NSBA123JDXV6T5G
제조업체 부품 번호
NSBA123JDXV6T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBA123JDXV6T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 72.74744
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBA123JDXV6T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBA123JDXV6T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBA123JDXV6T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBA123JDXV6T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBA123JDXV6T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBA123JDXV6T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN5135DW1, NSBA123JDxx
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대500mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 8,000
다른 이름NSBA123JDXV6T5GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBA123JDXV6T5G
관련 링크NSBA123JD, NSBA123JDXV6T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBA123JDXV6T5G 의 관련 제품
38.4MHz ±15ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F384XXCAT.pdf
RES 12.0 OHM 7W 5% AXIAL SBCHE612RJ.pdf
UPD78134AGF-038-3B9 NEC 176K8 UPD78134AGF-038-3B9.pdf
L78MO5CX ST TO220 L78MO5CX.pdf
TC164-FR-07 30K YAGEO SMD TC164-FR-07 30K.pdf
M28F101-200K6 ST PLCC M28F101-200K6.pdf
953698-1 TE SMD or Through Hole 953698-1.pdf
C1608X5R1E474KT000E ORIGINAL HALOGENFREE C1608X5R1E474KT000E.pdf
D66562-018 NEC TQFP D66562-018.pdf
PIC163-6R8-MTW RCD SMD PIC163-6R8-MTW.pdf
SS37- HGD SMA SS37-.pdf