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ON Semiconductor NSBA115EDXV6T1G

NSBA115EDXV6T1G
제조업체 부품 번호
NSBA115EDXV6T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
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내부 부품 번호EIS-NSBA115EDXV6T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN5136DW1, NSBA115EDXV6
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)100k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)100k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대500mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-563
표준 포장 4,000
다른 이름NSBA115EDXV6T1G-ND
NSBA115EDXV6T1GOSTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NSBA115EDXV6T1G
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