창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NSB1706DMW5T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NSB1706DMW5T1 | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | |
공급 장치 패키지 | SC-70 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NSB1706DMW5T1GOS NSB1706DMW5T1GOS-ND NSB1706DMW5T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NSB1706DMW5T1G | |
관련 링크 | NSB1706D, NSB1706DMW5T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
MMBZ5236C-G3-08 | DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT23-3 | MMBZ5236C-G3-08.pdf | ||
ELT3041 | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | ELT3041.pdf | ||
GX-M30B-Z | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M30 | GX-M30B-Z.pdf | ||
40CPQ045PBF-CHINA | 40CPQ045PBF-CHINA IR TO-247 | 40CPQ045PBF-CHINA.pdf | ||
MSA1215D-2W | MSA1215D-2W MORNSUN SMD or Through Hole | MSA1215D-2W.pdf | ||
VI-JWY-MX | VI-JWY-MX VICOR SMD or Through Hole | VI-JWY-MX.pdf | ||
LGHK160810NK | LGHK160810NK TAIYO 1608 | LGHK160810NK.pdf | ||
REF3133AIDBZRG4 TEL:82766440 | REF3133AIDBZRG4 TEL:82766440 TI SOT23 | REF3133AIDBZRG4 TEL:82766440.pdf | ||
NO1L83W2AT25I | NO1L83W2AT25I ON TSOP32 | NO1L83W2AT25I.pdf | ||
LX8117B-25CDD | LX8117B-25CDD Microsemi TO-263 | LX8117B-25CDD.pdf | ||
6651C | 6651C ORIGINAL TO126 | 6651C.pdf | ||
EP050X122N-A-B | EP050X122N-A-B TAIYO SMD or Through Hole | EP050X122N-A-B.pdf |