창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NS8GTHE3_A/P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NS(F,B)8AT thru NS(F,B)8MT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 8A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 400V | |
정전 용량 @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-2 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AC | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NS8GTHE3_A/P | |
관련 링크 | NS8GTHE, NS8GTHE3_A/P 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | VJ1210A200KBGAT4X | 20pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A200KBGAT4X.pdf | |
![]() | 416F40635ATR | 40.61MHz ±30ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40635ATR.pdf | |
![]() | 2N2484 | TRANS NPN 60V 0.05A TO-18 | 2N2484.pdf | |
![]() | FKN2WSJR-73-3R9 | RES 3.9 OHM 2W 5% AXIAL | FKN2WSJR-73-3R9.pdf | |
![]() | CH455H | CH455H CHES SOP | CH455H.pdf | |
![]() | 102.250MHZ/3.3V | 102.250MHZ/3.3V KOAN OSC-F | 102.250MHZ/3.3V.pdf | |
![]() | MPC8544ECVTANG | MPC8544ECVTANG ORIGINAL BGA | MPC8544ECVTANG.pdf | |
![]() | ST073S10CFF | ST073S10CFF ORIGINAL SMD or Through Hole | ST073S10CFF.pdf | |
![]() | FE3010CJU | FE3010CJU ORIGINAL SOP | FE3010CJU.pdf | |
![]() | RSMA6411A2NT50G550 | RSMA6411A2NT50G550 AMPHENOL SMD or Through Hole | RSMA6411A2NT50G550.pdf | |
![]() | LANC515DW3 | LANC515DW3 WALLIND SMD or Through Hole | LANC515DW3.pdf | |
![]() | 4.19430MHZOSC | 4.19430MHZOSC ECS SMD or Through Hole | 4.19430MHZOSC.pdf |