창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NS850A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NS850A | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | QFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NS850A | |
| 관련 링크 | NS8, NS850A 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238351913 | 0.091µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.591" W (31.00mm x 15.00mm) | BFC238351913.pdf | |
![]() | 9C03600048 | 3.6864MHz ±30ppm 수정 30pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C03600048.pdf | |
![]() | FA-20H 12.0000MD30Z-K5 | 12MHz ±30ppm 수정 10pF 150옴 -20°C ~ 75°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-20H 12.0000MD30Z-K5.pdf | |
![]() | LQW2BASR11J00L | 110nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 480 mOhm Max 0806 (2015 Metric) | LQW2BASR11J00L.pdf | |
![]() | AMD-768 B2 | AMD-768 B2 AMD BGA | AMD-768 B2.pdf | |
![]() | 31V1-#3-F1F1 | 31V1-#3-F1F1 GENERALPL SMD or Through Hole | 31V1-#3-F1F1.pdf | |
![]() | L42005380100 | L42005380100 NEC PLCC | L42005380100.pdf | |
![]() | SI4455DY-T1 | SI4455DY-T1 VISHAY SOP-8 | SI4455DY-T1.pdf | |
![]() | MT47H64M16HR-3 D9HNZ | MT47H64M16HR-3 D9HNZ MICRON BGA | MT47H64M16HR-3 D9HNZ.pdf | |
![]() | PNX85507EB/M10D0C2A0 | PNX85507EB/M10D0C2A0 TRIDENT DIPSMT | PNX85507EB/M10D0C2A0.pdf | |
![]() | ST90402YQ6/ER | ST90402YQ6/ER ORIGINAL QFP | ST90402YQ6/ER.pdf | |
![]() | SBT805 | SBT805 TSC SMD or Through Hole | SBT805.pdf |