창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NRVBSS26T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SS26 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 630mV @ 2A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 60V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NRVBSS26T3G | |
관련 링크 | NRVBSS, NRVBSS26T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
1274AS-H-4R7N=P3 | 4.7µH Shielded Wirewound Inductor 6.7A 13.5 mOhm Max 2-SMD | 1274AS-H-4R7N=P3.pdf | ||
![]() | RNF14BTC133K | RES 133K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTC133K.pdf | |
![]() | B72207-S300-K101 | B72207-S300-K101 EPCOS SMD or Through Hole | B72207-S300-K101.pdf | |
![]() | TDA5562 | TDA5562 SIEM DIP | TDA5562.pdf | |
![]() | BDX2 | BDX2 ORIGINAL SOT23-5 | BDX2.pdf | |
![]() | P87CPC764BD | P87CPC764BD PHI SMD or Through Hole | P87CPC764BD.pdf | |
![]() | MLF1608DR22KT | MLF1608DR22KT TDK SMD or Through Hole | MLF1608DR22KT.pdf | |
![]() | TS80C32X2-LCC | TS80C32X2-LCC TEMIC QFP-44P | TS80C32X2-LCC.pdf | |
![]() | HD6433635A18F | HD6433635A18F HITACHI QFP | HD6433635A18F.pdf | |
![]() | EKMH350LGC104MDC0M | EKMH350LGC104MDC0M NIPPONCHEMI-COM DIP | EKMH350LGC104MDC0M.pdf |