ON Semiconductor NRVBD640CTT4G
- 제조업체 부품 번호
- NRVBD640CTT4G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 어레이
- 간단한 설명
- DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V 3A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NRVBD640CTT4G 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 589.83720
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NRVBD640CTT4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NRVBD640CTT4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NRVBD640CTT4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NRVBD640CTT4G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NRVBD640CTT4G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NRVBD640CTT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRD/NRVBD/SBR_6x0CTG,CTT4G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 40V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NRVBD640CTT4G | |
| 관련 링크 | NRVBD64, NRVBD640CTT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
NRVBD640CTT4G 의 관련 제품
.jpg) | MC18FA271F-TF | 270pF Mica Capacitor 100V 1812 (4532 Metric) 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) | MC18FA271F-TF.pdf | |
 | 416F440X2IST | 44MHz ±15ppm 수정 시리즈 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X2IST.pdf | |
 | IMC1210SY101K | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 73mA 14 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY101K.pdf | |
 | ERJ-1GEF4321C | RES SMD 4.32K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF4321C.pdf | |
 | ERA-6AEB1180V | RES SMD 118 OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB1180V.pdf | |
 | JAN1N3022 | JAN1N3022 MSC DO-13 | JAN1N3022.pdf | |
| SM13030-2018-2 | SM13030-2018-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | SM13030-2018-2.pdf | |
| M29W160ET-90N6 | M29W160ET-90N6 ST SMD or Through Hole | M29W160ET-90N6.pdf | |
| 2.5W 3.3V | 2.5W 3.3V GEPO SMD or Through Hole | 2.5W 3.3V.pdf | |
| M442256AJ-8 | M442256AJ-8 ORIGINAL SMD or Through Hole | M442256AJ-8.pdf | |
| 1500IW-IB | 1500IW-IB FUJISTU SMD or Through Hole | 1500IW-IB.pdf | |
| Si8517-C-IS | Si8517-C-IS SiliconLabs SOIC20 | Si8517-C-IS.pdf |