창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NRVBD640CTG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBRD/NRVBD/SBR_6x0CTG,CTT4G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 40V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NRVBD640CTG | |
| 관련 링크 | NRVBD6, NRVBD640CTG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LP036F35CDT | 3.579545MHz ±30ppm 수정 18pF 150옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP036F35CDT.pdf | |
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![]() | IHLM2525CZER1R0M07 | 1µH Shielded Inductor 11A 8.44 mOhm Nonstandard | IHLM2525CZER1R0M07.pdf | |
![]() | P51-300-G-D-MD-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-D-MD-4.5V-000-000.pdf | |
![]() | K2554 | K2554 HITACHI TO3P | K2554.pdf | |
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![]() | VS1746 | VS1746 IC SMD or Through Hole | VS1746.pdf | |
![]() | 053398-1471 | 053398-1471 MOLEX SMD or Through Hole | 053398-1471.pdf | |
![]() | PT7320-61-1W | PT7320-61-1W PHOTONICS SMD or Through Hole | PT7320-61-1W.pdf |