창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NRVBAF260T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBRAF260T3G, NRVBAF260T3G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 -평균 정류(Io) | 2A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 630mV @ 2A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 60V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | SMA | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NRVBAF260T3G | |
관련 링크 | NRVBAF2, NRVBAF260T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CSTCE8M00G55Z-R0 | 8MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 33pF ±0.2% -40°C ~ 125°C Surface Mount | CSTCE8M00G55Z-R0.pdf | |
![]() | B78108S1155J | 1.5mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 23 Ohm Max Axial | B78108S1155J.pdf | |
![]() | 8173 | Magnet Neodymium Iron Boron (NdFeB) N35 0.625" Dia x 0.063" H (15.9mm x 1.59mm) | 8173.pdf | |
![]() | 1.27mm2x40p | 1.27mm2x40p ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.27mm2x40p.pdf | |
![]() | CHR1203 | CHR1203 ORIGINAL DIP | CHR1203.pdf | |
![]() | XCS30XLBG256 | XCS30XLBG256 XILINX BGA | XCS30XLBG256.pdf | |
![]() | XC3195APC84-2 | XC3195APC84-2 XLINX PLCC | XC3195APC84-2.pdf | |
![]() | XC2VP76FG456C | XC2VP76FG456C XILINX AYBGA | XC2VP76FG456C.pdf | |
![]() | TLC7135CDWRG4 TI11+ | TLC7135CDWRG4 TI11+ TI SOP28 | TLC7135CDWRG4 TI11+.pdf | |
![]() | A1694/C4467 | A1694/C4467 SANKEN TO-3P | A1694/C4467.pdf | |
![]() | XL12E561MCZWPEC | XL12E561MCZWPEC HIT DIP | XL12E561MCZWPEC.pdf |