창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NRVB830MFST3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR830MFS, NRVB830MFS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 700mV @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 200µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
작동 온도 - 접합 | -40°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NRVB830MFST3G | |
관련 링크 | NRVB830, NRVB830MFST3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
FG26X7R2J472KNT06 | 4700pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FG26X7R2J472KNT06.pdf | ||
![]() | P4KE9.1CA-E3/54 | TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC AXIAL | P4KE9.1CA-E3/54.pdf | |
![]() | TC9304F-002 | TC9304F-002 TOSHIBA PQFQ-60 | TC9304F-002.pdf | |
![]() | T7513B 1PE | T7513B 1PE LUCENT DIP | T7513B 1PE.pdf | |
![]() | TLC7135CN TI 07+ g4 dip28 Tai | TLC7135CN TI 07+ g4 dip28 Tai TI SMD or Through Hole | TLC7135CN TI 07+ g4 dip28 Tai.pdf | |
![]() | TLP421F(D4-Y) | TLP421F(D4-Y) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP421F(D4-Y).pdf | |
![]() | 12064838 | 12064838 Delphi SMD or Through Hole | 12064838.pdf | |
![]() | CRB2A4E472JT | CRB2A4E472JT KyoceraElect SMD or Through Hole | CRB2A4E472JT.pdf | |
![]() | SAF-TC1920-LEBBA | SAF-TC1920-LEBBA Infineon BGA | SAF-TC1920-LEBBA.pdf | |
![]() | CLG266 | CLG266 N/A NC | CLG266.pdf | |
![]() | RB6.8M | RB6.8M NEC SOT-23 | RB6.8M.pdf | |
![]() | PGA102KP | PGA102KP ORIGINAL DIP | PGA102KP .pdf |