창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NRVB5100MFST3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR5100MFS, NRVB5100MFS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 5A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 980mV @ 5A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NRVB5100MFST3G | |
관련 링크 | NRVB5100, NRVB5100MFST3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | TR3-S505SC-2-R | FUSE CERAMIC 2A 250VAC 5X20MM | TR3-S505SC-2-R.pdf | |
![]() | ATS073ASM-1 | 7.3728MHz ±30ppm 수정 시리즈 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS073ASM-1.pdf | |
![]() | MCR100JZHFL2R40 | RES SMD 2.4 OHM 1% 1W 2512 | MCR100JZHFL2R40.pdf | |
![]() | CA0001R1200JE66 | RES 0.12 OHM 1W 5% AXIAL | CA0001R1200JE66.pdf | |
![]() | AO6405/D5B12 | AO6405/D5B12 ALPHA SOT-163 | AO6405/D5B12.pdf | |
![]() | ADP3420JRU | ADP3420JRU AD TSSOP | ADP3420JRU.pdf | |
![]() | 470UF/200V820 22*40 | 470UF/200V820 22*40 Cheng SMD or Through Hole | 470UF/200V820 22*40.pdf | |
![]() | 16CTQ060-1 | 16CTQ060-1 IR T0-262 | 16CTQ060-1.pdf | |
![]() | MAX1763EEET | MAX1763EEET MAXIM SMD or Through Hole | MAX1763EEET.pdf | |
![]() | UPD70F3357GJ(A)-SJ3 | UPD70F3357GJ(A)-SJ3 NEC QFP | UPD70F3357GJ(A)-SJ3.pdf | |
![]() | GTG12N60C3D | GTG12N60C3D ORIGINAL SMD or Through Hole | GTG12N60C3D.pdf | |
![]() | TC7SZ125FE TE85L.F | TC7SZ125FE TE85L.F TOSHIBA SOT563 | TC7SZ125FE TE85L.F.pdf |