창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NRVB30H100MFST3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MBR30H100MFS, NRVB30H100MFS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 30A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 30A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 100V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerTDFN, 5 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5-DFN, 8-SO 평면 리드(5x6) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NRVB30H100MFST3G | |
| 관련 링크 | NRVB30H10, NRVB30H100MFST3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0JTD05.6T | FUSE CRTRDGE 5.6A 600VAC/300VDC | 0JTD05.6T.pdf | |
![]() | B82614R2202A30 | 1mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 430 mOhm (Typ) | B82614R2202A30.pdf | |
![]() | 3631B2R5ML | 2.5µH Shielded Inductor 6.2A 16 mOhm Max Nonstandard | 3631B2R5ML.pdf | |
![]() | MBB02070D2372DC100 | RES 23.7K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D2372DC100.pdf | |
![]() | SM5613K1S | SM5613K1S NPC SOP8 | SM5613K1S.pdf | |
![]() | 2J102 (102J630V) | 2J102 (102J630V) ORIGINAL DIP | 2J102 (102J630V).pdf | |
![]() | BT138F-600E | BT138F-600E NXP TO-220 | BT138F-600E.pdf | |
![]() | RD1H475M05011BBA80 | RD1H475M05011BBA80 SAMWHA SMD or Through Hole | RD1H475M05011BBA80.pdf | |
![]() | uPD64012GJ-8EN(PBF) | uPD64012GJ-8EN(PBF) NEC SMD or Through Hole | uPD64012GJ-8EN(PBF).pdf | |
![]() | LT4850MT | LT4850MT NSC TSSOP14 | LT4850MT.pdf | |
![]() | 109P0912F4011 | 109P0912F4011 ORIGINAL SMD or Through Hole | 109P0912F4011.pdf | |
![]() | GS35401M | GS35401M ORIGINAL DIP | GS35401M.pdf |