창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP89N055NUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP89N055MUK, NP89N055NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP89N055NUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP89N055NU, NP89N055NUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | E32D600LPN273UEE3M | 27000µF 60V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 105°C | E32D600LPN273UEE3M.pdf | |
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![]() | 6MBI25LS-060 | 6MBI25LS-060 FUJI SMD or Through Hole | 6MBI25LS-060.pdf | |
![]() | NT35008 | NT35008 ORIGINAL SMD or Through Hole | NT35008.pdf | |
![]() | IDT75S10010A-200BR | IDT75S10010A-200BR IDT BGA | IDT75S10010A-200BR.pdf | |
![]() | 54155FM | 54155FM NSC Call | 54155FM.pdf | |
![]() | M51 M51C | M51 M51C M/A-COM SMD or Through Hole | M51 M51C.pdf | |
![]() | E22/6/16/R3F3-A630P | E22/6/16/R3F3-A630P ORIGINAL SMD or Through Hole | E22/6/16/R3F3-A630P.pdf | |
![]() | TKC100BR/BS | TKC100BR/BS TKC SMD or Through Hole | TKC100BR/BS.pdf | |
![]() | 54LS298DM | 54LS298DM SA DIP16 | 54LS298DM.pdf |