창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP89N04PUK-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP89N04PUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.95m옴 @ 45A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP89N04PUK-E1-AY | |
관련 링크 | NP89N04PU, NP89N04PUK-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 672D186H040BB5C | 18µF 40V Aluminum Capacitors Radial, Can | 672D186H040BB5C.pdf | |
HS250 R68 F | RES CHAS MNT 0.68 OHM 1% 250W | HS250 R68 F.pdf | ||
![]() | CPCC02R2000JB31 | RES 0.2 OHM 2W 5% RADIAL | CPCC02R2000JB31.pdf | |
![]() | SMD-0825 | SMD-0825 PRECICO SOT | SMD-0825.pdf | |
![]() | P55N05 | P55N05 ORIGINAL TO-220 | P55N05.pdf | |
![]() | 2SD4745 # | 2SD4745 # ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD4745 #.pdf | |
![]() | LSLVU2.8LT1G | LSLVU2.8LT1G LRC 2010 | LSLVU2.8LT1G.pdf | |
![]() | PL1B-16RC8-5 | PL1B-16RC8-5 HARRIS DIP | PL1B-16RC8-5.pdf | |
![]() | IRF7313/F7313/IRF7313PBF/IRF7313TR/IRF7313TRPBF/IR | IRF7313/F7313/IRF7313PBF/IRF7313TR/IRF7313TRPBF/IR IR SOP | IRF7313/F7313/IRF7313PBF/IRF7313TR/IRF7313TRPBF/IR.pdf | |
![]() | FFPQ3725 | FFPQ3725 PHIL DIP14 | FFPQ3725.pdf | |
![]() | K4D26323QG-GC33000 | K4D26323QG-GC33000 SAMSUNG BGA144 | K4D26323QG-GC33000.pdf | |
![]() | 74LVCR162245DGGR | 74LVCR162245DGGR TI TSSOP48 | 74LVCR162245DGGR.pdf |