창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP74N04YUG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP74N04YUG | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 37.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5430pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NP74N04YUG-E1-AY-ND NP74N04YUG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP74N04YUG-E1-AY | |
관련 링크 | NP74N04YU, NP74N04YUG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | FXO-HC735R-60 | 60MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC735R-60.pdf | |
![]() | MHQ0402P4N6JT000 | 4.6nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MHQ0402P4N6JT000.pdf | |
![]() | AD712JRZ-REEL7 (P/ | AD712JRZ-REEL7 (P/ AD 3.9mm-8 | AD712JRZ-REEL7 (P/.pdf | |
![]() | IX0773 | IX0773 SHARP DIP | IX0773.pdf | |
![]() | 15-23B-R6G6BHC-A01-2T | 15-23B-R6G6BHC-A01-2T EVERLIGHT SMD-LED | 15-23B-R6G6BHC-A01-2T.pdf | |
![]() | BTS824R. | BTS824R. INFINEON SOP20 | BTS824R..pdf | |
![]() | SFH416-R | SFH416-R OSRAM DIP2/950nm | SFH416-R.pdf | |
![]() | FCB3216KF-260T05 | FCB3216KF-260T05 TAI-TECH SMD | FCB3216KF-260T05.pdf | |
![]() | INA220AIDGST-TI | INA220AIDGST-TI ORIGINAL SMD or Through Hole | INA220AIDGST-TI.pdf | |
![]() | K521F12ACA-B075 | K521F12ACA-B075 Samsung BGA | K521F12ACA-B075.pdf | |
![]() | MSI-700705-R15 | MSI-700705-R15 Maglayers SMD | MSI-700705-R15.pdf |