창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP60N055NUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP60N055MUK, NP60N055NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP60N055NUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP60N055NU, NP60N055NUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
MDEV-900-TT | TRM 900 TT MASTER DEV SYSTEM | MDEV-900-TT.pdf | ||
2SA812-T1B-M5 | 2SA812-T1B-M5 NEC SOT-23 | 2SA812-T1B-M5.pdf | ||
EPF7256AETC144-10 | EPF7256AETC144-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPF7256AETC144-10.pdf | ||
MMSZ5231B-GS18 | MMSZ5231B-GS18 VISHAY ORIGINAL | MMSZ5231B-GS18.pdf | ||
AT1205-25E_GRE | AT1205-25E_GRE AIMTRON SC70-6 | AT1205-25E_GRE.pdf | ||
T1129 | T1129 PULSE SMD40 | T1129.pdf | ||
194-039-9-001 | 194-039-9-001 AMD SMD or Through Hole | 194-039-9-001.pdf | ||
16RIA80S90 | 16RIA80S90 IR STUD | 16RIA80S90.pdf | ||
NTDT110N2G | NTDT110N2G ON TO-252 | NTDT110N2G.pdf | ||
CY62137EV30LL-45BVX | CY62137EV30LL-45BVX CYPRESS BGA | CY62137EV30LL-45BVX.pdf | ||
82C21G-AE3-5-R | 82C21G-AE3-5-R UTC SOT23 | 82C21G-AE3-5-R.pdf | ||
DF02-7002 | DF02-7002 ORIGINAL SOP-4 | DF02-7002.pdf |