창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP60N055MUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP60N055MUK, NP60N055NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP60N055MUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP60N055MU, NP60N055MUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
B25620B1407K101 | 400µF Film Capacitor 1100V (1.1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial, Can - Screw Terminals 3.346" Dia (85.00mm) | B25620B1407K101.pdf | ||
SIT3907AI-DF-33NM-16.384000T | OSC XO 3.3V 16.384MHZ | SIT3907AI-DF-33NM-16.384000T.pdf | ||
MLG0603P4N0BT000 | 4nH Unshielded Multilayer Inductor 350mA 400 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P4N0BT000.pdf | ||
PIC17C752T-33I/L | PIC17C752T-33I/L MICROCHIP PLCC | PIC17C752T-33I/L.pdf | ||
FJN4311RTA | FJN4311RTA ORIGINAL TO-92 | FJN4311RTA.pdf | ||
GA343QR7GD222KW01 | GA343QR7GD222KW01 MURATA 1812 | GA343QR7GD222KW01.pdf | ||
LSC3851DW | LSC3851DW MOT SOP | LSC3851DW.pdf | ||
RWM4X100.47OHM10% | RWM4X100.47OHM10% rs-c-rVNAXOHM 2W5 D5r54l15r06-OHMR | RWM4X100.47OHM10%.pdf | ||
RN2406 / YF | RN2406 / YF TOSHIBA SOT-23 | RN2406 / YF.pdf | ||
MFI341S2160 | MFI341S2160 ORIGINAL QFN | MFI341S2160.pdf | ||
A6E-8104 | A6E-8104 OMRON DIP-8 | A6E-8104.pdf | ||
B2080G | B2080G ON SMD or Through Hole | B2080G.pdf |