창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP52N055SUG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP52N055SUG | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252(MP-3ZK) | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP52N055SUG-E1-AY | |
관련 링크 | NP52N055SU, NP52N055SUG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
ASTMLPFL-100.000MHZ-LJ-E-T3 | 100MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 7.5mA Enable/Disable | ASTMLPFL-100.000MHZ-LJ-E-T3.pdf | ||
CMHZ5227B TR | DIODE ZENER 3.6V 250MW SOD123 | CMHZ5227B TR.pdf | ||
EP4SGX180DF29C3N | EP4SGX180DF29C3N ALTERA BGA | EP4SGX180DF29C3N.pdf | ||
RX70-0.25-3 | RX70-0.25-3 YJ SMD or Through Hole | RX70-0.25-3.pdf | ||
P5AC312-30 | P5AC312-30 INTEL DIP24 | P5AC312-30.pdf | ||
XRT7298IW | XRT7298IW XR SOJ | XRT7298IW.pdf | ||
6V10010SOGI8 | 6V10010SOGI8 IDT SOP | 6V10010SOGI8.pdf | ||
10K431 | 10K431 MYG SMD or Through Hole | 10K431.pdf | ||
BSBE1-701A | BSBE1-701A THOMSON SMD or Through Hole | BSBE1-701A.pdf | ||
MKT-1826-510-065 | MKT-1826-510-065 VISH SMD or Through Hole | MKT-1826-510-065.pdf | ||
A2007WV-6P | A2007WV-6P ORIGINAL SMD or Through Hole | A2007WV-6P.pdf | ||
74HC547PW | 74HC547PW PHI TSSOP | 74HC547PW.pdf |