창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP35N04YUG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP35N04YUG | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NP35N04YUG-E1-AY-ND NP35N04YUG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP35N04YUG-E1-AY | |
관련 링크 | NP35N04YU, NP35N04YUG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
RMCP2010FT6K34 | RES SMD 6.34K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT6K34.pdf | ||
PE2010DKE070R03L | RES SMD 0.03 OHM 0.5% 1/2W 2010 | PE2010DKE070R03L.pdf | ||
15-21/W1D-CPQTY/2T | 15-21/W1D-CPQTY/2T EVERLIGHT 1206 | 15-21/W1D-CPQTY/2T.pdf | ||
AT89S58-IM | AT89S58-IM ATMEL DIP40 | AT89S58-IM.pdf | ||
SIP4280DR-3-T1 | SIP4280DR-3-T1 VISHAY SSOP | SIP4280DR-3-T1.pdf | ||
TLP4223 | TLP4223 FILT SMD or Through Hole | TLP4223.pdf | ||
DF3A8.2FE TEL:82766440 | DF3A8.2FE TEL:82766440 TOSHIBA SMD or Through Hole | DF3A8.2FE TEL:82766440.pdf | ||
RC0430E0JT | RC0430E0JT ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0430E0JT.pdf | ||
HLMP47409MP7 | HLMP47409MP7 FAIRCHILD ROHS | HLMP47409MP7.pdf | ||
E28F016SA-70-120 | E28F016SA-70-120 INTEL TSOP | E28F016SA-70-120.pdf | ||
MRS-EF-9S-NS30 | MRS-EF-9S-NS30 MAXCONN SMD or Through Hole | MRS-EF-9S-NS30.pdf | ||
CAT810MTBI-T10 | CAT810MTBI-T10 CATALYST SOT23-3 | CAT810MTBI-T10.pdf |