Renesas Electronics America NP33N06YDG-E1-AY

NP33N06YDG-E1-AY
제조업체 부품 번호
NP33N06YDG-E1-AY
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
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내부 부품 번호EIS-NP33N06YDG-E1-AY
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NP33N06YDG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C33A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs14m옴 @ 16.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs78nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3900pF @ 25V
전력 - 최대1W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드 노출형 패드
공급 장치 패키지8-HSON
표준 포장 2,500
다른 이름NP33N06YDG-E1-AY-ND
NP33N06YDG-E1-AYTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NP33N06YDG-E1-AY
관련 링크NP33N06YD, NP33N06YDG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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