창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP23N06YDG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP23N06YDG | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 11.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 노출형 패드 | |
공급 장치 패키지 | 8-HSON | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NP23N06YDG-E1-AY-ND NP23N06YDG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP23N06YDG-E1-AY | |
관련 링크 | NP23N06YD, NP23N06YDG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
SH332M025ST | 3300µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 80 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 105°C | SH332M025ST.pdf | ||
0JTD300.X | FUSE CRTRDGE 300A 600VAC/500VDC | 0JTD300.X.pdf | ||
BZW04-102B-E3/73 | TVS DIODE 102VWM 165VC | BZW04-102B-E3/73.pdf | ||
MCR25JZHF1020 | RES SMD 102 OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF1020.pdf | ||
3N1012 | 3N1012 Infineon TO-220 | 3N1012.pdf | ||
KTC9015S-C-RTK(XHZ) | KTC9015S-C-RTK(XHZ) KEC SOT23 | KTC9015S-C-RTK(XHZ).pdf | ||
H102 | H102 N/A SOT23-5 | H102.pdf | ||
MN6627931BL | MN6627931BL ORIGINAL QFP | MN6627931BL.pdf | ||
IDT79RV5000-150BS | IDT79RV5000-150BS IDT BGA | IDT79RV5000-150BS.pdf | ||
OR3T15A-5PS208 | OR3T15A-5PS208 OR QFP | OR3T15A-5PS208.pdf | ||
REV 2.1 | REV 2.1 AMIS QFP-200 | REV 2.1.pdf | ||
US170 | US170 INTEL BGA | US170.pdf |