창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP20P06SLG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP20P06SLG | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 48m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1650pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252(MP-3ZK) | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP20P06SLG-E1-AY | |
관련 링크 | NP20P06SL, NP20P06SLG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
GRM1555C1H8R1BZ01D | 8.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H8R1BZ01D.pdf | ||
B32560J8103K289 | 10000pF Film Capacitor 400V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.354" L x 0.150" W (9.00mm x 3.80mm) | B32560J8103K289.pdf | ||
LQW31HN39NJ03L | 39nH Unshielded Wirewound Inductor 490mA 67 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | LQW31HN39NJ03L.pdf | ||
PTKM150-894VM | 150µH Shielded Toroidal Inductor 6.5A 35 mOhm Max Radial | PTKM150-894VM.pdf | ||
RC2512JK-07150RL | RES SMD 150 OHM 5% 1W 2512 | RC2512JK-07150RL.pdf | ||
CMF6014K000BEEB | RES 14K OHM 1W .1% AXIAL | CMF6014K000BEEB.pdf | ||
652453B05906G | 652453B05906G AAVIDTHERMALLOY CALL | 652453B05906G.pdf | ||
SK16R | SK16R DIODES SMB | SK16R.pdf | ||
MID30N03ASTR | MID30N03ASTR M TO-263 | MID30N03ASTR.pdf | ||
RFT3100TA20K | RFT3100TA20K ORIGINAL LCC | RFT3100TA20K.pdf | ||
SN54ACT32F2A | SN54ACT32F2A ORIGINAL SMD or Through Hole | SN54ACT32F2A.pdf | ||
HEDS5505E14 | HEDS5505E14 AVAGO BOX | HEDS5505E14.pdf |