창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP180N04TUJ-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP180N04TUJ | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | TO-263-7 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP180N04TUJ-E1-AY | |
관련 링크 | NP180N04TU, NP180N04TUJ-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 185154J100RFB-F | 0.15µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | 185154J100RFB-F.pdf | |
![]() | S1DFL | DIODE GP 200V 1A SOD123F | S1DFL.pdf | |
![]() | 1N5353/TR8 | DIODE ZENER 16V 5W T18 | 1N5353/TR8.pdf | |
![]() | RT0402FRE0727KL | RES SMD 27K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRE0727KL.pdf | |
![]() | MRS25000C3839FRP00 | RES 38.3 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C3839FRP00.pdf | |
![]() | PSB2171HV2.1 | PSB2171HV2.1 INFINEON QFP-80P | PSB2171HV2.1.pdf | |
![]() | NJM2388F33-#ZZZB | NJM2388F33-#ZZZB NJRC SMD or Through Hole | NJM2388F33-#ZZZB.pdf | |
![]() | BTA26-800C | BTA26-800C ST TO-3P | BTA26-800C.pdf | |
![]() | ERJ6ENF6800V | ERJ6ENF6800V Panasonic SMD or Through Hole | ERJ6ENF6800V.pdf | |
![]() | DS1257 | DS1257 DALLAS DIP | DS1257.pdf | |
![]() | MM74F00SJX | MM74F00SJX NSC SMD or Through Hole | MM74F00SJX.pdf |