창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP110N055PUK-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP110N055PUK | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.75m옴 @ 55A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 294nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP110N055PUK-E1-AY | |
관련 링크 | NP110N055P, NP110N055PUK-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
9C-11.2896MBBK-T | 11.2896MHz ±50ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-11.2896MBBK-T.pdf | ||
CMDZ18L TR | DIODE ZENER 18V 250MW SOD323 | CMDZ18L TR.pdf | ||
SMAJ4755AE3/TR13 | DIODE ZENER 43V 2W DO214AC | SMAJ4755AE3/TR13.pdf | ||
CRS2010-FX-1001ELF | RES SMD 1K OHM 1% 1W 2010 | CRS2010-FX-1001ELF.pdf | ||
AA1206FR-077K68L | RES SMD 7.68K OHM 1% 1/4W 1206 | AA1206FR-077K68L.pdf | ||
ELJRE2N2PF2 | ELJRE2N2PF2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ELJRE2N2PF2.pdf | ||
0402N181F500NU | 0402N181F500NU HITANO SMD | 0402N181F500NU.pdf | ||
PBL386401R1 | PBL386401R1 ERICSSON SMD or Through Hole | PBL386401R1.pdf | ||
1812L200DR 2A | 1812L200DR 2A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812L200DR 2A.pdf | ||
MMBZ5230B-V-GS08 | MMBZ5230B-V-GS08 VISHAY SOT23-3 | MMBZ5230B-V-GS08.pdf | ||
174F658AD | 174F658AD ORIGINAL SMD24 | 174F658AD.pdf |