Renesas Electronics America NP109N04PUG-E1-AY

NP109N04PUG-E1-AY
제조업체 부품 번호
NP109N04PUG-E1-AY
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 110A TO-263
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내부 부품 번호EIS-NP109N04PUG-E1-AY
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NP109N04PUG
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C110A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3m옴 @ 55A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs270nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds15750pF @ 25V
전력 - 최대1.8W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263-3
표준 포장 800
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NP109N04PUG-E1-AY
관련 링크NP109N04PU, NP109N04PUG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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