Renesas Electronics America NP100N04PUK-E1-AY

NP100N04PUK-E1-AY
제조업체 부품 번호
NP100N04PUK-E1-AY
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
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내부 부품 번호EIS-NP100N04PUK-E1-AY
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NP100N04PUK
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보RoHS Compliance
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.3m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs120nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7050pF @ 25V
전력 - 최대1.8W
작동 온도175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NP100N04PUK-E1-AY
관련 링크NP100N04PU, NP100N04PUK-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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32MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-306 32.0000M-C3: ROHS.pdf
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 DDTB114TU-7-F.pdf
RES SMD 196 OHM 0.5% 1/8W 0805 RG2012P-1960-D-T5.pdf
RES SMD 657 OHM 0.01% 1/4W 0805 PLT0805Z6570LBTS.pdf
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