창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NOSB226M004R0600 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NOS OxiCap Low ESR Series | |
| 제품 교육 모듈 | OxiCap™ Niobium Oxide Capacitor Components for Alternate Energy Applications Component Solutions for Smart Meter Applications | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 산화 니오븀 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | OxiCap® NOS | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 600m옴 | |
| 전류 - 누설 | 1.8µA | |
| 손실 계수 | 6% | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1210(3528 미터법) | |
| 제조업체 크기 코드 | B | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.083"(2.10mm) | |
| 특징 | 저ESR | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 478-3232-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NOSB226M004R0600 | |
| 관련 링크 | NOSB226M0, NOSB226M004R0600 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1E5R1DD01D | 5.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1E5R1DD01D.pdf | |
![]() | 445A31C16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 16pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A31C16M00000.pdf | |
![]() | 416F25025ITT | 25MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025ITT.pdf | |
![]() | DF06SA | DF06SA GS 600V | DF06SA.pdf | |
![]() | 2SD1701 | 2SD1701 NEC TO-92 | 2SD1701.pdf | |
![]() | TPS71933-28DRVR | TPS71933-28DRVR TI SMD or Through Hole | TPS71933-28DRVR.pdf | |
![]() | MGDSI-35-O-B | MGDSI-35-O-B GAIA SMD or Through Hole | MGDSI-35-O-B.pdf | |
![]() | AL4A3-001 | AL4A3-001 EGFIR BGA | AL4A3-001.pdf | |
![]() | JRJR26FX103P | JRJR26FX103P NEC NULL | JRJR26FX103P.pdf | |
![]() | 079489001SAGAMI | 079489001SAGAMI SAGAMI SMD | 079489001SAGAMI.pdf | |
![]() | HSMC79M05 | HSMC79M05 ORIGINAL SMD or Through Hole | HSMC79M05.pdf | |
![]() | 1220A-005D-3L/1L | 1220A-005D-3L/1L ORIGINAL SMD or Through Hole | 1220A-005D-3L/1L.pdf |