창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NO282BN | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NO282BN | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | CAN3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NO282BN | |
| 관련 링크 | NO28, NO282BN 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CC0201JRNPO8BN680 | 68pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CC0201JRNPO8BN680.pdf | |
![]() | T322B475K020AS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V Axial 4.5 Ohm 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) | T322B475K020AS.pdf | |
![]() | 416F40012ILR | 40MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40012ILR.pdf | |
![]() | SI1965DH-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 | SI1965DH-T1-GE3.pdf | |
![]() | RCP1206W1K50JET | RES SMD 1.5K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W1K50JET.pdf | |
![]() | CRCW12069M10JNEB | RES SMD 9.1M OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12069M10JNEB.pdf | |
![]() | HSCDDRV001PGSA3 | Pressure Sensor 1 PSI (6.89 kPa) Vented Gauge Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 12 b 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Opposite Sides | HSCDDRV001PGSA3.pdf | |
![]() | SH6022120YLB | SH6022120YLB ABC SMD or Through Hole | SH6022120YLB.pdf | |
![]() | RA30202061 | RA30202061 ORIGINAL SMD or Through Hole | RA30202061.pdf | |
![]() | BAS21-V-GS08 | BAS21-V-GS08 VISHAY SOT23-3 | BAS21-V-GS08.pdf | |
![]() | 5-1123675-9 | 5-1123675-9 TYCO SMD or Through Hole | 5-1123675-9.pdf | |
![]() | S2913CIF10TF | S2913CIF10TF SEIKO SMD or Through Hole | S2913CIF10TF.pdf |