창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NNCD3.6G-T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NNCD3.6G-T1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NNCD3.6G-T1 | |
| 관련 링크 | NNCD3., NNCD3.6G-T1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 50MU225MC44532 | 2.2µF Film Capacitor 50V Acrylic, Metallized 1812 (4532 Metric) 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) | 50MU225MC44532.pdf | |
![]() | 416F52033CDT | 52MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F52033CDT.pdf | |
![]() | UF4007-TP | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | UF4007-TP.pdf | |
![]() | IPU60R2K1CEBKMA1 | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | IPU60R2K1CEBKMA1.pdf | |
![]() | F1912NCGI | RF Attenuator 0.5dB ±0.5dB 0 ~ 4GHz 50 Ohm 1.5W 20-WFQFN Exposed Pad | F1912NCGI.pdf | |
![]() | 231923-5610 | 231923-5610 FUJITSU QFP | 231923-5610.pdf | |
![]() | K7B203625B-QC80 | K7B203625B-QC80 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7B203625B-QC80.pdf | |
![]() | Y202 | Y202 ST SMD(SOT-223) | Y202.pdf |