창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NLV32T-068J-EFD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NLV32-EFD Series, Automotive | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | NLV-EFD | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 권선 | |
소재 - 코어 | 페라이트 | |
유도 용량 | 68nH | |
허용 오차 | ±5% | |
정격 전류 | 450mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 비차폐 | |
DC 저항(DCR) | 360m옴최대 | |
Q @ 주파수 | 27 @ 100MHz | |
주파수 - 자기 공진 | 1GHz | |
등급 | AEC-Q200 | |
작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
주파수 - 테스트 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.094"(2.40mm) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-16545-2 NLV32T-068J-EFD-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NLV32T-068J-EFD | |
관련 링크 | NLV32T-06, NLV32T-068J-EFD 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 |
![]() | ECA-2AHG220 | 22µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | ECA-2AHG220.pdf | |
![]() | ABM7-24.000MHZ-D2Y-T | 24MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM7-24.000MHZ-D2Y-T.pdf | |
![]() | Y002410K0000T9L | RES 10K OHM .3W .01% RADIAL | Y002410K0000T9L.pdf | |
![]() | LBY87S-L1N2-35-Z | LBY87S-L1N2-35-Z OSR SMD or Through Hole | LBY87S-L1N2-35-Z.pdf | |
![]() | AD6C541-H | AD6C541-H SolidSta SMD or Through Hole | AD6C541-H.pdf | |
![]() | TLV2462AID | TLV2462AID TI SOP-8 | TLV2462AID.pdf | |
![]() | K4J55323QI-BC12 GDDR3 8M*32 | K4J55323QI-BC12 GDDR3 8M*32 SAM FBGA | K4J55323QI-BC12 GDDR3 8M*32.pdf | |
![]() | MUAC8K64-70TDC | MUAC8K64-70TDC MUSIC QFP | MUAC8K64-70TDC.pdf | |
![]() | P/N635 | P/N635 KEYSTONE Call | P/N635.pdf | |
![]() | AM-480272DTMQW-00-H/R | AM-480272DTMQW-00-H/R AMPIRE SMD or Through Hole | AM-480272DTMQW-00-H/R.pdf | |
![]() | SI1400DL-T1/NDS | SI1400DL-T1/NDS SILICONIX SOT363 | SI1400DL-T1/NDS.pdf |