창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NLD252018T-2R2J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NLD252018T-2R2J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NLD252018T-2R2J | |
| 관련 링크 | NLD252018, NLD252018T-2R2J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
| F931A685MAA | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 3.5 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F931A685MAA.pdf | ||
![]() | 416F37411CDR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37411CDR.pdf | |
![]() | ECS-100A-320 | 32MHz TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 70mA | ECS-100A-320.pdf | |
| SIS413DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8 | SIS413DN-T1-GE3.pdf | ||
| HS300 47R J | RES CHAS MNT 47 OHM 5% 300W | HS300 47R J.pdf | ||
![]() | DXO-1-32.768MHZ | DXO-1-32.768MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | DXO-1-32.768MHZ.pdf | |
![]() | SF10G48 | SF10G48 TOSHIBA SMD or Through Hole | SF10G48.pdf | |
![]() | SMBJP4KE82CA | SMBJP4KE82CA Microsemi DO-214AA | SMBJP4KE82CA.pdf | |
![]() | BSS84W_R1_00001 | BSS84W_R1_00001 PANJIT SMD or Through Hole | BSS84W_R1_00001.pdf | |
![]() | SCA61T-FA1H1 | SCA61T-FA1H1 VTI SOP-8 | SCA61T-FA1H1.pdf | |
![]() | UPC834G2-E1 | UPC834G2-E1 NEC SOP 14 | UPC834G2-E1.pdf | |
![]() | KTB988-Y | KTB988-Y KEC TO-220 | KTB988-Y.pdf |