창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJW21193G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NJW2119(3, 4)G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 250V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 4V @ 3.2A, 16A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 20 @ 8A, 5V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 4MHz | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3P | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | NJW21193G-ND NJW21193GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NJW21193G | |
| 관련 링크 | NJW21, NJW21193G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EEC-S5R5V155N | 1.5F Supercap 5.5V Axial, Can - Vertical 30 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.748" L x 0.217" W (19.00mm x 5.50mm) | EEC-S5R5V155N.pdf | |
![]() | CX3225SB48000D0WPSC1 | 48MHz ±15ppm 수정 8pF 23옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB48000D0WPSC1.pdf | |
![]() | RT0805WRB0724KL | RES SMD 24K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB0724KL.pdf | |
![]() | CY22381SXC-19 | CY22381SXC-19 CY SOP8 | CY22381SXC-19.pdf | |
![]() | RTL8305N-CG | RTL8305N-CG ORIGINAL SMD or Through Hole | RTL8305N-CG.pdf | |
![]() | AT403S6 | AT403S6 Ansaldo Module | AT403S6.pdf | |
![]() | SST27SF010703CNHPULLS | SST27SF010703CNHPULLS ssti SMD or Through Hole | SST27SF010703CNHPULLS.pdf | |
![]() | LCN0805T-R10G-S | LCN0805T-R10G-S YAGEO 2012 | LCN0805T-R10G-S.pdf | |
![]() | BCM8705LAIFBG | BCM8705LAIFBG BORADCOM BGA | BCM8705LAIFBG.pdf | |
![]() | NST-35R | NST-35R Stanley DIP | NST-35R.pdf | |
![]() | FMJ-1040R-R88HF | FMJ-1040R-R88HF TNNP SMD | FMJ-1040R-R88HF.pdf | |
![]() | CL068UH | CL068UH SAMSUNG SMD or Through Hole | CL068UH.pdf |