창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJVNJD35N04G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NJD35N04G,NJVNJD35N04x4G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 90MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NJVNJD35N04G | |
| 관련 링크 | NJVNJD3, NJVNJD35N04G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 402F4801XILT | 48MHz ±10ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F4801XILT.pdf | |
![]() | ALA6358 | ALA6358 ORIGINAL DIP8 | ALA6358.pdf | |
![]() | LPRG356 | LPRG356 ORIGINAL LC-1 | LPRG356.pdf | |
![]() | 26-159-16 | 26-159-16 WIREPRO N A | 26-159-16.pdf | |
![]() | HT12E 18DIP | HT12E 18DIP HT SOP | HT12E 18DIP.pdf | |
![]() | ADM202EARC | ADM202EARC AD SMD16 | ADM202EARC.pdf | |
![]() | ATC100A1R2BT150XT | ATC100A1R2BT150XT ATC SMD | ATC100A1R2BT150XT.pdf | |
![]() | DSX321G 24.000 | DSX321G 24.000 INDONESIA SMD | DSX321G 24.000.pdf | |
![]() | IR98-0166TR | IR98-0166TR IR SOP | IR98-0166TR.pdf | |
![]() | CC1021-STR1 | CC1021-STR1 ORIGINAL SMD or Through Hole | CC1021-STR1.pdf | |
![]() | CND2B10TE J 104 | CND2B10TE J 104 KOA 5P10R | CND2B10TE J 104.pdf | |
![]() | TEESVA21D105K8R | TEESVA21D105K8R NEC SMD or Through Hole | TEESVA21D105K8R.pdf |