창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJVNJD35N04G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NJD35N04G,NJVNJD35N04x4G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V | |
| 전력 - 최대 | 45W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 90MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NJVNJD35N04G | |
| 관련 링크 | NJVNJD3, NJVNJD35N04G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | M391B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333 ECC dimm) | M391B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333 ECC dimm) Samsung SMD or Through Hole | M391B5673FH0-CH9 (DDR3 2G/1333 ECC dimm).pdf |