창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJVMJD47T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJDxx,NJVMJD4774G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 250V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 200µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 주파수 - 트랜지션 | 10MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NJVMJD47T4G | |
| 관련 링크 | NJVMJD, NJVMJD47T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | PAT0603E7232BST1 | RES SMD 72.3KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E7232BST1.pdf | |
![]() | AP1117B-2.5V2R1 | AP1117B-2.5V2R1 AP SOT223 | AP1117B-2.5V2R1.pdf | |
![]() | RD18ES-T1-AB1-AZ | RD18ES-T1-AB1-AZ NEC SMD or Through Hole | RD18ES-T1-AB1-AZ.pdf | |
![]() | DS2E-M-DC48V-1C-N74/48V | DS2E-M-DC48V-1C-N74/48V ORIGINAL SMD or Through Hole | DS2E-M-DC48V-1C-N74/48V.pdf | |
![]() | F561K6TA | F561K6TA ST QFP32 | F561K6TA.pdf | |
![]() | SDV1005E180C150NPT(f) | SDV1005E180C150NPT(f) Sunlord SMD or Through Hole | SDV1005E180C150NPT(f).pdf | |
![]() | AP130-30YRL | AP130-30YRL ANACHIP/DIODES SOT89R | AP130-30YRL.pdf | |
![]() | S1D1350F00A2 | S1D1350F00A2 EPSON QFP | S1D1350F00A2.pdf | |
![]() | CGA4J3X7T2E104K | CGA4J3X7T2E104K TDK SMD | CGA4J3X7T2E104K.pdf | |
![]() | 6.3MH747M5X7 | 6.3MH747M5X7 Rubycon DIP-2 | 6.3MH747M5X7.pdf |