홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NJVMJD350T4G

ON Semiconductor NJVMJD350T4G

NJVMJD350T4G
제조업체 부품 번호
NJVMJD350T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS PNP 300V 0.5A DPAK-4
데이터 시트 다운로드
다운로드
NJVMJD350T4G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 309.93280
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NJVMJD350T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NJVMJD350T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NJVMJD350T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NJVMJD350T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NJVMJD350T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NJVMJD350T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD3x0,NJVMJD3x0T4G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)500mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)300V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1V @ 10mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
전력 - 최대1.56W
주파수 - 트랜지션10MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NJVMJD350T4G
관련 링크NJVMJD3, NJVMJD350T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NJVMJD350T4G 의 관련 제품
TRANS PNP 60V 1A SOT89 BSR31,135.pdf
MC9S12XHZ512CAL FREESCALE LQFP112 MC9S12XHZ512CAL.pdf
G2R-1A424VDC OMRON SMD or Through Hole G2R-1A424VDC.pdf
DS30D SAMSUNG SMD or Through Hole DS30D.pdf
MT9HTF12872AZ-667H1 MCN SMD or Through Hole MT9HTF12872AZ-667H1.pdf
VI-J7Y-EW VICOR SMD or Through Hole VI-J7Y-EW.pdf
HK2E567M22050HA180 ORIGINAL SMD or Through Hole HK2E567M22050HA180.pdf
AK6480AMP-E2 AKM SMD or Through Hole AK6480AMP-E2.pdf
SRBM141304 ALPS SMD SRBM141304.pdf
RT9269 RTCHTEK SOT-26 RT9269.pdf