창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NJVMJD31CT4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MJD31 (NPN), MJD32 (PNP) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 3A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 25 @ 1A, 4V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
주파수 - 트랜지션 | 3MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NJVMJD31CT4G-ND NJVMJD31CT4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NJVMJD31CT4G | |
관련 링크 | NJVMJD3, NJVMJD31CT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | C901U909DVNDCAWL20 | 9pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U909DVNDCAWL20.pdf | |
![]() | PD75R-184K | 180µH Unshielded Wirewound Inductor 540mA 680 mOhm Max Nonstandard | PD75R-184K.pdf | |
![]() | CMD4D08NP-4R7M | CMD4D08NP-4R7M ORIGINAL SMD or Through Hole | CMD4D08NP-4R7M.pdf | |
![]() | 5KP64A-E3 | 5KP64A-E3 VISHAY P600 | 5KP64A-E3.pdf | |
![]() | 88A215A | 88A215A N/A QFP | 88A215A.pdf | |
![]() | C1206C473K4RAC | C1206C473K4RAC KEMET SMD | C1206C473K4RAC.pdf | |
![]() | STT49GK18B | STT49GK18B Sirectifier SMD or Through Hole | STT49GK18B.pdf | |
![]() | LE82946G2 | LE82946G2 ORIGINAL BGA | LE82946G2.pdf | |
![]() | P0563 | P0563 PULSE SMD or Through Hole | P0563.pdf | |
![]() | 5LN02M | 5LN02M SANYO SOT-323 | 5LN02M.pdf | |
![]() | RV6NAYSD501A | RV6NAYSD501A HONEYWELL SMD or Through Hole | RV6NAYSD501A.pdf | |
![]() | UPD754304GS-059-E1 | UPD754304GS-059-E1 NEC SOP5.2mm | UPD754304GS-059-E1.pdf |