홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » NJVMJD243T4G

ON Semiconductor NJVMJD243T4G

NJVMJD243T4G
제조업체 부품 번호
NJVMJD243T4G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 100V 4A DPAK-4
데이터 시트 다운로드
다운로드
NJVMJD243T4G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 374.42680
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NJVMJD243T4G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NJVMJD243T4G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NJVMJD243T4G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NJVMJD243T4G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NJVMJD243T4G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NJVMJD243T4G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MJD2x3,NJVMJD2x3T4G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)4A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)100V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic600mV @ 100mA, 1A
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce40 @ 200mA, 1V
전력 - 최대1.4W
주파수 - 트랜지션40MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 2,500
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NJVMJD243T4G
관련 링크NJVMJD2, NJVMJD243T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NJVMJD243T4G 의 관련 제품
330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C UEP1J331MHD.pdf
150pF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) C0402X6S0J151K020BC.pdf
Red LED Indication - Discrete 1.8V Radial SSL-LX3044SRC/D.pdf
CL11 100V 122J SENY SMD or Through Hole CL11 100V 122J.pdf
BCM5704CKFE BROADCOM BGA BCM5704CKFE.pdf
KBL302 DEC SMD or Through Hole KBL302.pdf
MAX3084ECPA MAXIM DIP8 MAX3084ECPA.pdf
MAX8868EUK36 MAXIM SOT23-5 MAX8868EUK36.pdf
ST7291C2M1/CFK SGS-THOMSON SOP ST7291C2M1/CFK.pdf
SC11066CV/ABE SIERRA PLCC SC11066CV/ABE.pdf
TDA2004R+ ST ZIP TDA2004R+.pdf