창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJVMJD122T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MJD_NJVMJD(122,127) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 100V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 4V @ 8A, 80mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 10µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 1000 @ 4A, 4V | |
| 전력 - 최대 | 1.75W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NJVMJD122T4G-ND NJVMJD122T4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NJVMJD122T4G | |
| 관련 링크 | NJVMJD1, NJVMJD122T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1875C2E1R5WB12D | 1.5pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1875C2E1R5WB12D.pdf | |
| XHGAWT-00-0000-00000HX50 | LED Lighting XLamp® XH-G White, Cool 6000K 2.9V 65mA 130° 2-SMD, No Lead | XHGAWT-00-0000-00000HX50.pdf | ||
![]() | SC5022FH-2R7 | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 10A 8 mOhm Max Nonstandard | SC5022FH-2R7.pdf | |
![]() | 3386P-1-5K | 3386P-1-5K BOURNS/ SMD or Through Hole | 3386P-1-5K.pdf | |
![]() | ENGA | ENGA NO SMD or Through Hole | ENGA.pdf | |
![]() | LS-F100016S5050RGB36-LK6803 | LS-F100016S5050RGB36-LK6803 LS SMD or Through Hole | LS-F100016S5050RGB36-LK6803.pdf | |
![]() | 54F240M/B2AJC | 54F240M/B2AJC MOT SMD or Through Hole | 54F240M/B2AJC.pdf | |
![]() | S1012NN | S1012NN HITACHI SIP | S1012NN.pdf | |
![]() | 36DY392F450AB2A | 36DY392F450AB2A V SMD or Through Hole | 36DY392F450AB2A.pdf | |
![]() | 16F886-I/SS | 16F886-I/SS MICROCHIP SSOP | 16F886-I/SS.pdf | |
![]() | DP8216N. | DP8216N. NS DIP | DP8216N..pdf |