창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NJM2611M-TE1-Z###B | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NJM2611M-TE1-Z###B | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOP-16 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NJM2611M-TE1-Z###B | |
| 관련 링크 | NJM2611M-T, NJM2611M-TE1-Z###B 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]()  | HAZ680MBABD0KR | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | HAZ680MBABD0KR.pdf | |
![]()  | VJ0805D820FLAAC | 82pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D820FLAAC.pdf | |
![]()  | G3SBA60L-M3/51 | DIODE 1PH 4A 600V | G3SBA60L-M3/51.pdf | |
![]()  | FQB34N20LTM | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | FQB34N20LTM.pdf | |
![]()  | NLV32T-033J-PFD | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 240 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLV32T-033J-PFD.pdf | |
![]()  | R6501Q | R6501Q ROCKWELL DIP64 | R6501Q.pdf | |
![]()  | HM511000AP-10 | HM511000AP-10 HIT DIP-18 | HM511000AP-10.pdf | |
![]()  | X0402MA | X0402MA ST TO-92 | X0402MA.pdf | |
![]()  | NTC-T156M25TRDF | NTC-T156M25TRDF NIC-TAN WlH | NTC-T156M25TRDF.pdf | |
![]()  | TMS320DM335-135 | TMS320DM335-135 TI SMD or Through Hole | TMS320DM335-135.pdf | |
![]()  | STB6047 | STB6047 EIC SMB | STB6047.pdf | |
![]()  | PCM-9562Z2-1GS6A1E | PCM-9562Z2-1GS6A1E Advantech SMD or Through Hole | PCM-9562Z2-1GS6A1E.pdf |