창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NJD35N04T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NJD35N04 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN - 달링턴 | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 4A | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 350V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1.5V @ 20mA, 2A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 50µA | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 2000 @ 2A, 2V | |
전력 - 최대 | 45W | |
주파수 - 트랜지션 | 90MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NJD35N04T4G-ND NJD35N04T4GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NJD35N04T4G | |
관련 링크 | NJD35N, NJD35N04T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | GRM2196R2AR40CD01D | 0.40pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196R2AR40CD01D.pdf | |
![]() | RT1206BRD07412RL | RES SMD 412 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRD07412RL.pdf | |
![]() | T7467ARQE | T7467ARQE AD SSOP | T7467ARQE.pdf | |
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![]() | PHILIPS-GDA-120V500W | PHILIPS-GDA-120V500W PHILIPS SMD or Through Hole | PHILIPS-GDA-120V500W.pdf | |
![]() | RCF2012J1R0ES | RCF2012J1R0ES SAMSUNG SMD or Through Hole | RCF2012J1R0ES.pdf | |
![]() | MAX666ACSA | MAX666ACSA MAXIM SOP | MAX666ACSA.pdf | |
![]() | CF322513-220K | CF322513-220K BOURNS 1210 | CF322513-220K.pdf | |
![]() | RAC3216-1028DJT | RAC3216-1028DJT IAM SMD | RAC3216-1028DJT.pdf |