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ON Semiconductor NJD35N04G

NJD35N04G
제조업체 부품 번호
NJD35N04G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
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내부 부품 번호EIS-NJD35N04G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NJD35N04
PCN 조립/원산지Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN - 달링턴
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)4A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)350V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.5V @ 20mA, 2A
전류 - 콜렉터 차단(최대)50µA
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce2000 @ 2A, 2V
전력 - 최대45W
주파수 - 트랜지션90MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK-3
표준 포장 75
다른 이름NJD35N04G-ND
NJD35N04GOS
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)NJD35N04G
관련 링크NJD35, NJD35N04G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
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